| 型号： | ALD111933PAL | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Advanced Linear Devices Inc | 描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| ALD111933PAL PDF |  |
| 产品目录绘图 | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | EPAD® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 欧姆 @ 5.9V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.35V @ 1µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 8-PDIP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 1014-1051 |